[发明专利]生产薄膜的方法及实施该方法的装置

权利要求书

1．一种在位于炉芯管内的基质上生产薄膜的方法，包括使基质绕着中心轴线随着第一气体朝向基质喷出而旋转的步骤，所述中心轴是一通过基质的主表面中心的法线，所述第一气体主要包括工业废气，其中薄膜在基质上形成，同时允许第二气体通过一中心轴沿对着第一气体的喷出方向喷出，所述第二气体主要包含惰性气体或氮气。

2．如权利要求1所述的方法，其中所述第二气体沿着大致相对第一气体喷出方向的方向喷出。

3．如权利要求2所述的方法，其中供应第一气体和第二气体的位置大致相对中心轴对称，第一气体与第二气体同时供应。

4．如权利要求3所述的方法，其中第一气体和第二气体的供应量大致相等。

5．如权利要求4所述的方法，其中所述第一气体和所述第二气体以大致相同的温度供应。

6．如权利要求4所述的方法，其中所述第一气体和所述第二气体大致以相同的流率供应。

7．如权利要求4所述的方法，其中所述第一气体包括一种成分，该成分能形成一种作为反应产物的硅磷酸盐玻璃膜。

8．如权利要求4所述的方法，其中所述第一气体包括一种成分，该成份在反应后形成硅氧化物膜。

9．如权利要求4所述的方法，其中所述基质大致包括玻璃基质或硅晶片，该基质并有一表面，在其上形成的薄膜包括一玻璃表面。

10．一种生产薄膜的装置，包括

一炉芯管；

一支承大量基质的置于炉芯管内的基质支承船；

一第一气体喷射管，该喷射管具有很多第一吹气孔，以将包括工业废气的第一气体吹向基质，支承船有一旋转机构以允许船利用一通过基质的主表面中心的法线作为一旋转轴而旋转

第二气体喷射管，第二气体喷射管有第二喷射孔以喷出第二气体，并设置在相对的位置，在该位置第二气体与第一气体

在基质的表面碰撞，所述第二气体主要包括惰性气体或氮气。

11．如权利要求10所述的装置，其中所述第一气体喷射管相对旋转轴的中心线设置在与第二气体喷射管大致对称的位置。

12．如权利要求11所述的装置，所述第一和第二气体喷射管构成一对管子作为第一对管子，所述装置还包括类似于第一对管子的作为第二对管子的另一对管子，第二对管子中的每一个管子都设置在不同于第一对管子的位置，但相对于中心线与所述第一对管子有相同的位置。

13．如权利要求11所述的装置，其中在第一和第二气体喷射管上相应的位置设置第一和第二吹气孔，在所述位置第一和第二气体沿着彼此相对的方向吹出第一和第二气体。

14．如权利要求13所述的装置，其中所述第一和第二气体沿着基质表面同时供应。

15．如权利要求14所述的装置，其中所述第一和第二气体大致以相同的量供应。

16．如权利要求15所述的装置，还包括以大致相同的温度分别供应第一和第二气体的气体加热装置。

17．如权利要求15所述的装置，还包括大致以相同流速供应所述第一和第二气体的气体供应控制装置。

18．如权利要求15所述的装置，其中所述第一气体包括一种成分，该成份在反应后形成磷硅酸盐玻璃。

19．如权利要求15所述的装置，其中所述第一气体包含一种成分，该成分在反应后形成一种作为反应产物的硅氧化物。

20．如权利要求15所述的装置，其中所述基质大致包括玻璃基质或硅晶片，该基质并有一表面，在其上形成的薄膜包括一玻璃表面。