[发明专利]半导体电路及其控制方法

权利要求书

1．一种控制包括DRAM的半导体电路的方法，包括步骤：

在DRAM的每一行上排列数据，并对数据进行组合以减少存储数据所需的行的数量；和刷新其上已存储数据的每一所述行。

2．一种控制包括DRAM的半导体电路的方法，包括步骤：

在所述DRAM的同一行上排列任意数据，其中这些数据从写入到读出的周期重叠或相互接近；和

仅在从数据最初写入到数据读出结束的时间周期期间刷新所述行。

3．一种控制包括DRAM的半导体电路的方法，包括步骤：

获得一个要使用DRAM的应用所需的存储容量，然后参考具有预先获得的所述DRAM每一行的数据保留时间的表，从具有较长数据保留时间的行开始顺序在所述DRAM中存储数据；和

相应于所有存储数据的行中具有最短数据保留时间的行，设定刷新周期。

4．根据权利要求3所述的控制半导体电路的方法，其特征在于包括当数据存储在所述DRAM中时，根据数据的重要程度将数据排列在特定行上的步骤。

5．根据权利要求1、2、3或4所述的控制半导体电路的方法，其特征在于包括检测所述半导体电路的温度，并根据温度设定所述DRAM的刷新周期时间的步骤。

6．一种包括DRAM的半导体电路，其特征在于包括：

用于在DRAM的每一行上排列数据，并对数据进行组合以减少存储数据所需的行的数量的装置；和

用于刷新其上已存储数据的每一所述行的装置。

7．一种包括DRAM的半导体电路，包括：

用于在所述DRAM的同一行上排列任意数据的装置，其中这些数据从其写入到读出的周期重叠或相互接近；和

仅在从数据最初写入到数据读出结束的时间周期期间刷新该行的装置。

8．一种包括DRAM的半导体电路，其特征在于包括：

获得一个要用DRAM的应用所需的存储容量，然后参考具有预先获得的所述DRAM每一行的数据保留时间的表，从具有较长数据保留时间的行开始顺序在所述DRAM中存储数据的装置；和

用于适合于其数据保留时间为所有存储数据的行中最短的行，设定刷新周期时间的装置。

9．根据权利要求8所述的半导体电路，其特征在于包括当数据存储在所述DRAM中时，根据数据的重要程度把数据排列在特定行上的装置。

10．根据权利要求6、7、8或9所述的半导体电路，其特征在于包括用于检测所述半导体电路的温度，并根据温度设定所述DRAM的刷新周期的装置。