[发明专利]半导体结晶、其制造方法及半导体装置无效
| 申请号： | 00100243.0 | 申请日： | 2000-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN1260594A | 公开（公告）日： | 2000-07-19 |
| 发明（设计）人： | 斋藤彻;神泽好彦;片山幸治;能泽克弥;菅原岳;久保实 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02;H01L27/04;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/324;C30B29/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
交替地将不产生离散的量化能级的厚度薄的Si1-xGex层(0 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结晶 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结晶，其特征在于：具有将以硅和锗为主成分的Si1-xGex层(0＜x＜1)和以硅和碳为主成分的Si1-yCy层(0＜y＜1)交替地层叠两个周期以上而成的Si1-xGex/Si1-yCy超晶格体结构，所述Si1-xGex/Si1-yCy超晶格体能起到单一的SiGeC层的作用。
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