[发明专利]异物除去法及膜形成方法无效
| 申请号： | 00100676.2 | 申请日： | 2000-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN1148786C | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 森田清之;大塚隆;上田路人 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/302;H01L21/31;H01L21/469 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 将硅衬底11置入容器17内。向容器17内供入金属有机络合物和超临界状态的二氧化碳，在白金薄膜13上形成BST薄膜14，与此同时，除去形成BST薄膜14时所生成的含碳化合物。利用含碳化合物在超临界状态的二氧化碳中的熔解度很高，超临界状态的二氧化碳的粘度很低这一特性，可有效地除去BST薄膜14中的含碳化合物。利用超临界状态或亚临界状态的水等进行低温下的氧化、氮化等处理，还可以形成氧化膜、氮化膜等。 | ||
| 搜索关键词： | 异物 除去 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种异物除去法，用以除去被处理物内部的异物，该异物除去法将用来熔解上述异物的流体保持在超临界状态或者亚临界状态下，让上述被处理物去接触上述流体，而将异物除去，其特征在于：上述被处理物，由含有金属有机物或金属有机络合物的原料起反应而生成的第1物质构成；上述异物，由含有金属有机物或金属有机络合物的原料起反应而生成的含碳化合物，即第2物质构成，上述被处理物是在让含有金属有机物或金属有机络合物的原料熔解于它的熔剂的状态下而形成的膜；上述原料的熔剂，为属于烃或者卤代烃的化合物且至少为其中之一种；上述原料为含有DPM(二新戊笋甲烷)基的化合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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