[发明专利]封装具有凸电极的半导体器件的方法有效
| 申请号： | 00100754.8 | 申请日： | 2000-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN1160769C | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 三原一郎;桑原治 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种封装具有凸电极的半导体器件的方法，利用印刷掩模和刮板，在硅衬底上形成树脂密封膜。刮板端梢部分的侧面基本上为V形，通过将刮板的端梢部分推到相邻凸电极间的间隙中进行印刷。结果，密封膜形成为在相邻凸电极间凹下，从而有助于凸电极的摆动运动。由此可知，在硅衬底安装到电路基片上后进行的温度循环试验中，凸电极可以吸收硅衬底和电路基片间热膨胀系数差造成的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 具有 电极 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种密封凸电极的方法，包括以下步骤：制备具有数个彼此隔离的高度为100至300微米的凸电极的衬底；在衬底上安装具有暴露相邻凸电极之间的区域的开口部分的掩模；通过在掩模上移动刮板，在衬底上形成厚度小于每个凸电极的高度的密封膜；和对衬底进行切片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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