[发明专利]联栅晶体管

摘要

一种联栅晶体管，包括硅衬底片、集电区、发射区、基区、栅区及相应的金属电极层，硅衬底片的上表面有多条第一导电类型的高掺杂浓度的发射区，每条发射区的周围有第二导电类型的基区，基区的侧面连着第二导电类型掺杂浓度比基区高、深度比基区深度深的槽形栅区，其槽的底部是第二导电类型高掺杂区；每条槽的底面和侧面覆盖着绝缘层，侧面绝缘层延伸到硅衬底片的上表面；发射区的上面连接着第一导电类型的掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层与发射极金属层连接。它可提高电流密度、改善电流分布的均匀性、提高开关速度、增强可靠性。

主权项

1.一种联栅晶体管，在下层为第一导电类型低电阻率层、上层为第一导电类型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多条第一导电类型的高掺杂浓度的发射区，每条发射区的周围有第二导电类型的基区，基区的侧面连着第二导电类型掺杂浓度比基区高、深度比基区深度深的栅区，栅区与栅极金属层相连，硅衬底片的上层位于基区以下和栅区以下的部分为集电区，硅衬底片的下层是集电极，集电极的下表面与集电极金属层相连，其特征在于：所述栅区是槽形的，其槽的底部是第二导电类型高掺杂区；所述发射区的上面连接着第一导电类型的掺杂多晶硅层，该掺杂多晶硅层与发射极金属层连接；所述每条槽的底面和侧面覆盖着绝缘层，侧面绝缘层延伸到硅衬底片的上表面。