[发明专利]制造薄栅氧化硅层的方法无效
| 申请号： | 00100780.7 | 申请日： | 2000-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN1147922C | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 小场文博 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/316;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;方挺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在将硅衬底(1)装入炉温为第一值的氧化炉中的制造半导体器件的方法中，将氧化炉的温度升高到第二值，对硅衬底实施氧化操作，在硅衬底上生长基本氧化硅层(32)，在实施氧化操作步骤之前生长的初始氧化硅层(31)的厚度与由初始氧化硅层和基本氧化硅层构成的厚度低于40的栅极氧化硅层(3)的厚度之比为20-40％。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氧化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：将晶片(1)装入氧化炉中，该氧化炉的温度为第一值；将所述氧化炉的温度从所述第一值升高到比所述第一值高的第二值；对所述硅衬底实施氧化操作，在所述硅衬底上生长基本氧化硅层(32)，其中，在实施所述氧化操作步骤之前生长的初始氧化硅层(31)的厚度与由所述初始氧化硅层和基本氧化硅层构成的整个栅极氧化硅层(3)的厚度之比在20-40％，所述整个栅极氧化硅层的厚度小于40。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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