[发明专利]使用双镶嵌工艺生产半导体器件的方法无效
| 申请号： | 00100816.1 | 申请日： | 2000-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1264172A | 公开（公告）日： | 2000-08-23 |
| 发明（设计）人： | 池田真义 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种生产半导体器件的方法,包含如下的过程生产空塞子和互连绝缘层,其中内层绝缘膜由与空塞子不同的材料构成;在所述内层绝缘膜的顶部形成掩膜层;并在所述绝缘膜中形成互连槽,使用所述掩膜层作为掩膜,蚀刻掉部分所述内层绝缘膜,露出所述互连槽底部上的所述空塞子的顶面,其中所述空塞子的所述顶面或者与所述互连槽的底部位于同一层或者比其低。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 镶嵌 工艺 生产 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.生产半导体器件的方法包含：生产空塞子(102，302)和互连绝缘膜(5，15)，其中内层绝缘膜(5，15)由与所述空塞子(102，302)不同的材料构成，从而至少覆盖导电膜(1)上的所述空塞子(102，302)的侧壁；在所述内层绝缘膜(5，15)的顶部形成掩膜层(6)，其中该掩膜层在所述空塞子(102，302)上具有一个开孔(103)；以及在所述绝缘膜(5，15)中形成互连槽(104)，从而通过使用所述掩膜层作为掩膜，蚀刻掉部分所述内层绝缘膜(5，15)，露出所述互连槽(104)底部上的所述空塞子(102，302)的顶面，其中所述空塞子(102，302)的所述顶面或者与所述互连槽(104)的所述底部位于同一层或者比其低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
