[发明专利]清洗电子元件的方法有效
| 申请号： | 00100891.9 | 申请日： | 2000-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1161825C | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 森田博志;井田纯一 | 申请（专利权）人： | 栗田工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;B08B3/04;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了提供一种能够去除电子元件表面上的金属、有机物和细小颗粒污物，尤其是硅基底上的污物，并且在清洗过程中抑制基底表面粗糙度以原子量级增大。一种清洗电子元件的方法，其是用氧化清洗液清洗，之后用还原清洗液清洗并施加超声振动。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 电子元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种清洗裸硅基底的方法，其特征在于用氧化清洗液清洗之后，在使裸硅基底经受超声振动的同时用还原清洗液清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
