[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 00100944.3 | 申请日： | 1994-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN1156917C | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 张宏勇;鱼地秀贵;高山彻;山崎舜平;竹村保彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供的半导体器件包括，有绝缘表面的基片、以及半导体膜，它包括绝缘表面上形成的结晶硅，半导体膜中含有促进结晶的金属，其浓度不大于1原子％。该半导体器件的制法包括：在基片的一绝缘表面上形成含非晶态硅的半导体膜；选择地形成含一种金属的层，它与半导体膜的第一部分接触；对它们进行加热，使半导体膜由第一部分至第二部分结晶，金属则通过半导体膜扩散。将半导体膜的至少第一和第二部分隔离开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，它包括：一种有绝缘表面的基片；一种半导体膜，它包括形成于所述绝缘表面上的结晶硅，其中，所述半导体膜含有选自Ni、Pt、Fe、Co和Pd的促进硅结晶的金属，其浓度不大于1原子％。
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