[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 00101058.1 | 申请日： | 1994-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1156918C | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 大谷久;安达广树;宫永昭治;高山彻 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，它包括：半导体层，它有至少第一杂质区、第二杂质区以及绝缘表面上的沟道形成区；栅极绝缘膜，它与半导体层相邻；栅电极，它与栅极绝缘膜相邻；第一绝缘膜，它形成于整个绝缘表面、半导体层、栅极绝缘膜和栅电极上面；第二绝缘膜，它包括一种有机树脂，并形成于第一绝缘膜上面；电极，它形成于第二绝缘膜上，并与第一杂质和第二杂质区中的一个杂质区相接；以及，象素电极，它形成于第二绝缘膜上面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，它包括：半导体层，它有至少第一杂质区、第二杂质区以及形成于绝缘表面上的沟道形成区，其中所述的半导体层包含催化剂元素，所述催化剂元素的浓度在1×1016-1×1019原子/厘米3之间；栅极绝缘膜，它与所述半导体层相邻；栅电极，它与所述栅极绝缘膜相邻；第一绝缘膜，它形成于所述绝缘表面、半导体层、栅极绝缘膜和栅电极的上方；第二绝缘膜，它包括一种有机树脂，并形成于第一绝缘膜上面；电极，它形成于第二绝缘膜上，并与第一杂质区和第二杂质区中的一个杂质区相接；以及，象素电极，它形成于第二绝缘膜上面。
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