[发明专利]绝缘栅晶体管无效
| 申请号： | 00101998.8 | 申请日： | 2000-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1263360A | 公开（公告）日： | 2000-08-16 |
| 发明（设计）人： | 内海智之;大关正一;须田晃一 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;日立原町电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/70 | 分类号： | H01L29/70;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 绝缘门控晶体管包括第一半导体区、包括多个部分的第二半导体区、第三半导体区、第四半导体区、第一主电极和第二主电极,其中在第一主表面平面上经由绝缘层设置金属布线层,通过上述的主电极设置与第一主电极绝缘的多个区域,以及金属布线层通过绝缘层经由与主电极绝缘的区域与控制电极电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅晶体管，包括：包括主表面平面的第一导电类型第一半导体区；包括通过从上述的主表面平面延伸到上述的第一半导体区内形成的多个部分的第二导电类型第二半导体区；上述的多个部分分别包括条状形状、在长度方向上对直并平行设置；第三半导体区；沿上述的第二半导体区的长度方向，从上述的主表面平面延伸到在上述的第二半导体区中相应的多个部分内形成的第一导电类型第四半导体区；在横贯上述的第一、第二和第四半导体区的上述的主表面平面上形成的第一绝缘层；通过上述的第一绝缘层横贯上述的第一、第二和第四半导体区形成由多晶硅半导体构成的控制电极；与上述的第二和第四半导体区电连接的第一主电极；和在上述的主表面上与上述的第三半导体区电连接的第二主电极；其中，在上述的第一主表面平面上经由绝缘层设置金属布线层，通过上述的第一主电极形成与上述的第一主电极绝缘的多个区域，和上述的金属布线层通过上述的绝缘层经由与上述的主电极绝缘的上述的区域与上述的控制电极电连接。
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