[发明专利]改进的接触和深沟槽构图有效
| 申请号： | 00102120.6 | 申请日： | 2000-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1154018C | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | T·S·鲁普;A·托马斯;F·扎克 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G03F7/22 | 分类号： | G03F7/22;H01L21/027;H01L21/30;H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件的构图方法，包括以下步骤，提供衬底层，衬底层上形成有绝缘层并且掩模层形成在绝缘层上，掩模层可相对于绝缘层被选择地腐蚀，对掩模层构图，在掩模层中形成第一组基本平行的线，对绝缘层构图，形成向下通到衬底层的矩形孔。还包括一种根据本发明的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 接触 深沟 构图 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的构图方法，其特征在于包括以下步骤：提供衬底层，衬底层上形成有绝缘层，并且掩模层形成在绝缘层上，掩模层可相对于绝缘层被选择地腐蚀；对掩模层构图，在掩模层中形成第一组平行线；对保护层构图以形成第二组平行线，这些平行线设成与第一组平行线垂直；根据保护层和掩模层的第一组平行线腐蚀穿通绝缘层，以便在绝缘层中形成矩形孔。
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