[发明专利]锡－铋合金镀浴及使用该镀浴的电镀方法无效
| 申请号： | 00102218.0 | 申请日： | 2000-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN1139676C | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 齐藤顺一;国司多通夫;浜地幸生 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | C25D3/60 | 分类号： | C25D3/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 林蕴和 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种pH约为2.0-9.0的Sn-Bi镀浴，它包含Bi3+离子；Sn2+离子；配位剂(I)和配位剂(II)。配位剂(I)可以是(a)有1-3个碳原子烷基的脂族二羧酸，(b)有1-3个碳原子烷基的脂族羟基单羧酸，(c)有1-4个碳原子烷基的脂族羟基多羧酸，(d)单糖类、通过部分氧化单糖制得的多羟基羧酸、及其环酯化合物，或(e)稠合磷酸。配位剂(II)可以是(s)乙二胺四乙酸(EDTA)，(t)氨三乙酸(NTA)，或(u)反式-1，2-环己二胺四乙酸(CyDTA)。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 使用 电镀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Sn-Bi合金镀浴，其pH为2.0-9.0，该镀浴包含：Bi3+离子；Sn2+离子；至少一种配位剂(I)，选自(a)有1-3个碳原子烷基的脂族二羧酸，(b)有1-3个碳原子烷基的脂族羟基单羧酸，(c)有1-4个碳原子烷基的脂族羟基多羧酸，(d)单糖类、通过部分氧化单糖制得的多羟基羧酸、及其环酯化合物，或(e)稠合磷酸；至少一种配位剂(II)，选自(s)乙二胺四乙酸，即EDTA，(t)氨三乙酸，即NTA，或(u)反式-1，2-环己二胺四乙酸，即CyDTA；其特征在于：所述配位剂(II)的浓度(摩尔/升)与Bi3+离子的浓度(摩尔/升)之比至少为10，配位剂(II)浓度(摩尔/升)与Sn2+离子的浓度(摩尔/升)之比至少为1，配位剂(I)浓度(摩尔/升)与Sn2+离子的浓度(摩尔/升)之比至少为0.1。
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