[发明专利]铝或铝合金导电材料层的机械化学抛光方法有效
| 申请号： | 00102240.7 | 申请日： | 2000-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN1167109C | 公开（公告）日： | 2004-09-15 |
| 发明（设计）人： | E·杰克奎恩特;P·莱托尼奥;M·里瓦尔 | 申请（专利权）人： | 科莱恩金融(BVI)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 段承恩 |
| 地址： | 英属维尔京*** | 国省代码： | 维尔京群岛;VG |
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| 摘要： | 本发明涉及在微电子半导体工业中使用的铝或铝合金导电材料层的机械化学抛光方法，其中使用一种磨料组合物研磨所述铝或铝合金层，该磨料组合物包括相互之间不以硅烷键连接的分立的胶体二氧化硅粒子的碱性水悬浮体、氢氧化四烷基铵和氧化剂。 | ||
| 搜索关键词： | 铝合金 导电 材料 机械 化学抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.在微电子半导体工业中使用的铝或铝合金导电材料层的机械化学抛光方法，其特征在于使用一种磨料组合物抛光所述铝或铝合金层，其中该磨料组合物包含相互之间不以硅氧烷键连接的分立的胶体二氧化硅粒子的碱性水悬浮体、一种氢氧化四烷基铵和一种氧化剂，其中所述的相互之间不以硅氧烷键连接的分立的胶体二氧化硅粒子的碱性水悬浮体的pH为10.5～11。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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