[发明专利]贮氢合金电极及其制造方法有效
| 申请号： | 00102334.9 | 申请日： | 2000-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1120534C | 公开（公告）日： | 2003-09-03 |
| 发明（设计）人： | 辻庸一郎;山本彻;丰口吉德;松田宏梦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/26 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 刘立平 |
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| 摘要： | 一种贮氢合金电极及其制造方法，所述贮氢合金电极系以通式TiaM1bCrcM2dLe(M1为选自Nb及Mo中的至少一种元素，M2为选自Fe、Co、Cu、Zn、Zr、Ag、Hf、Ta、W、Al、Si、C、N、P及B中的至少一种元素，L为选自稀土类元素及Y中的至少一种元素，0.2≤a≤0.7，0.01≤b≤0.4，0.1≤c≤0.7，0≤d≤0.3，0≤e≤0.03，a+b+c+d+e＝1.0)所表示的体心立方或体心正方晶体结构的贮氢合金，且由其表层部分具有Ti-Ni系合金相的粒子状活性物质所组成。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 电极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种贮氢合金电极，所述贮氢合金电极系以下述通式所表示的体心立方或体心正方晶体结构的贮氢合金，且由其表层部分具有Ti-Ni系合金相的粒子状活性物质所组成，TiaM1bCrcM2dLe式中，M1为选自Nb及Mo中的至少一种元素，M2为选自Fe、Co、Cu、Zn、Zr、Ag、Hf、Ta、W、Al、Si、C、N、P及B中的至少一种元素，L为选自稀土类元素及Y中的至少一种元素，0.2≤a≤0.7，0.01≤b≤0.4，0.1≤c≤0.7，0≤d≤0.3，0≤e≤0.03，a+b+c+d+e＝1.0。
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