[发明专利]改善光刻胶耐蚀刻性的方法无效
| 申请号： | 00102364.0 | 申请日： | 2000-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1264061A | 公开（公告）日： | 2000-08-23 |
| 发明（设计）人： | U·P·施勒德尔;G·昆克尔;A·古特曼 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司 |
| 主分类号： | G03F7/039 | 分类号： | G03F7/039;G03F7/038 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,傅康 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种易于构成并且适合于深紫外范围构图的光刻胶系统。通过利用蚀刻保护剂的处理,在用光刻法产生的光刻胶结构中产生对于含卤素等离子体的增强的耐蚀刻性。蚀刻保护剂主要包括芳族结构并且包含适合于与光刻胶的反应基起化学反应的反应基。在实施例中,光刻胶包含原料树脂,它在与芳族蚀刻保护剂反应之前不包含芳族基。蚀刻保护剂最好包含芳族聚羧酸,芳族聚羧酸酐或芳族聚羧酸氯化物。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 光刻 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用来产生光刻结构的方法，该方法包括：(a)提供一种光刻胶，它具有：原料树脂，后者包含在去保护时提供对光化辐射敏感的反应位点的被保护的活性位点；以及光敏成分；(b)将所述光刻胶涂敷在基片上；(c)将所述光刻胶的构成图案的区域选择性地暴露在所述光化辐射的有效剂量下；(d)将所述光刻胶暴露在显影剂下，以便产生构成图案的光刻胶；(e)将所述原料树脂的被保护的活性位点去保护，以便提供化学反应位点；(f)使从步骤(e)产生的所述反应位点与含芳族环的蚀刻保护剂起反应，以便把所述蚀刻保护剂包含在所述原料树脂的结构中；以及(g)对所述基片进行蚀刻。
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