[发明专利]Ⅲ族类氮化物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 00102851.0 | 申请日： | 2000-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN1270420A | 公开（公告）日： | 2000-10-18 |
| 发明（设计）人： | 柴田直树;伊藤润;千代敏明;浅见静代;渡边大志;千田昌伸;浅见慎也 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一第一Ⅲ族类氮化物层,其是通过不使用金属有机化合物作为原料的一种方法形成在基片上,是在包含氢或氮气与氨气的混合气体气氛中被加热,以使形成在第一Ⅲ族类氮化物层上的第二Ⅲ族类氮化物半导体层的结晶度得到改善。当第一Ⅲ族类氮化物层通过溅射方法被形成在基片上时,第一Ⅲ族类氮化物层的厚度被设置为从50埃到3000埃的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 族类 氮化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种III族类氮化物半导体器件，其中包括：—基片；—第一III族氮化物层，其具有50埃到3000埃的一厚度，并且是通过不使用金属有机化合物作为原料的一种方法形成在所述基片上；以及—第二III族氮化物半导体层，其形成在所述第一III族氮化物层上。
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