[发明专利]内置有低噪声高频放大器的接收装置有效
申请号: | 00102855.3 | 申请日: | 2000-03-03 |
公开(公告)号: | CN1134154C | 公开(公告)日: | 2004-01-07 |
发明(设计)人: | 崔世琯;朴昌坤 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H04N5/44 | 分类号: | H04N5/44;H03F3/189 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦,李辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种内置有低噪声高频放大器的接收装置,包括高通滤波器,用于对高频信号进行高通滤波;抗静电单元,用于防止高频信号中包含的静电;低噪声高频放大器,用于在高频信号电场强度微弱的情况下使用单栅极型场效应晶体管对信号进行放大并输出;高频开关单元,用于在高频信号电场强度高的情况下使高频信号旁通;控制器,用于根据自动增益控制电压判断高频信号电场强度并输出控制信号以选择性地驱动低噪声高频放大器和高频开关单元。 | ||
搜索关键词: | 内置 噪声 高频放大器 接收 装置 | ||
【主权项】:
1.一种内置有低噪声高频放大器的接收装置,包括:高通滤波器,用于对通过天线接收的高频信号进行高通滤波;抗静电单元,用于防止通过高通滤波器的高频信号中包含的静电;中频阻塞单元,与抗静电单元的后端连接,用于阻塞高频信号中包含的中频;低噪声高频放大器,用于在所输入高频信号的电场强度微弱的情况下,通过使用其内部提供的单栅极型场效应晶体管对从抗静电单元输出的高频信号进行放大并输出;高频开关单元,用于在所输入高频信号的电场强度高的情况下,使从抗静电单元输出的高频信号旁通;调谐器,包括一个UHF滤波器和一个VHF滤波器,用于将从低噪声高频放大器或高频开关单元输出的高频信号放大到合适的电平;和控制器,用于根据从所述调谐器输出的自动增益控制电压对高频信号的电场强度进行判断,并输出控制信号以选择性地驱动低噪声高频放大器和高频开关单元。
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