[发明专利]电容存储型场助热电子发射平板显示器及其驱动方法无效
申请号: | 00103365.4 | 申请日: | 2000-03-03 |
公开(公告)号: | CN1110835C | 公开(公告)日: | 2003-06-04 |
发明(设计)人: | 李德杰 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01J31/12 | 分类号: | H01J31/12 |
代理公司: | 北京清亦华专利事务所 | 代理人: | 廖元秋 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于平板显示器件技术领域,涉及电容存储型场助热电子发射平板显示器及其驱动方法,由涂有荧光粉和阳极铝膜的上极板、制备有发射电子的阴栅极的下极板、环封玻璃和支撑结构结构组成,中间维持超高真空,其特征在于,所说的阴栅极依次包括下电极、起存储电荷作用的绝缘层、电子传输的半导体层、上电极和电子发射层,还包括印刷在该下极板上连接所说的上、下电极的行列汇流电极,在汇流电极的交叉点上用丝网印刷法印制隔离层;所说的绝缘层其厚度在100-500纳米的范围。本发明具有器件电容低,器件寿命长,可降低驱动电路成本等优点,特别适于大屏幕高清晰度电视。 | ||
搜索关键词: | 电容 存储 型场助热 电子 发射 平板 显示器 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】:
1、一种电容存储型场助热电子发射平板显示器,由涂有荧光粉和阳极铝膜的上极板、制备有发射电子的阴栅极的下极板、环封玻璃和支撑结构组成,中间维持超高真空,其特征在于,所说的阴栅极依次包括下电极、起存储电荷作用的绝缘层、电子传输的半导体层、上电极和电子发射层,还包括印刷在该下极板上连接所说的上、下电极的行列汇流电极,在汇流电极的交叉点上用丝网印刷法印制隔离层;所说的绝缘层厚度为200纳米。
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