[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：形成接触孔208以露出半导体衬底201上的腐蚀停止膜205；去除该露出的腐蚀停止膜205；填充接触孔208以形成接触栓塞210；去除层间绝缘膜206上淀积的膜209，露出接触栓塞210；腐蚀层间绝缘膜206并去除腐蚀停止膜205；形成层间绝缘膜211；腐蚀层间绝缘膜211和栅电极203的绝缘膜204，形成接触孔213；去除扩散层231上露出的腐蚀停止膜205；填充接触孔213，形成接触栓塞215。

主权项

1.一种制造具有接触栓塞的半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：第一步骤，在半导体衬底上形成多晶硅膜和绝缘膜，然后腐蚀所述多晶硅膜和所述绝缘膜成为预定的形状，以便形成栅电极，此后，在所述衬底的整个表面上形成腐蚀停止膜和在其所述整个表面上形成第一层间绝缘膜；第二步骤，在所述第一层间绝缘膜中形成接触孔，以便使所述半导体衬底上的所述腐蚀停止膜露出；第三步骤，去除在所述半导体衬底上的露出的腐蚀停止膜；第四步骤，填充所述接触孔，形成接触栓塞；第五步骤，在形成所述接触栓塞时，去除淀积于所述第一层间绝缘膜上的膜，以便露出所述接触栓塞；第六步骤，腐蚀所述第一层间绝缘膜和去除所述栅电极上的所述腐蚀停止膜；第七步骤，在所述衬底的整个表面上形成第二层间绝缘膜；第八步骤，腐蚀所述第二和第一层间绝缘膜，以便露出扩散层上的所述腐蚀停止膜，和腐蚀所述栅电极的所述绝缘膜，以便在所述扩散层和所述栅电极上形成接触孔；第九步骤，去除在所述扩散层上露出的所述腐蚀停止膜；第十步骤，填充由所述第八步骤和所述第九步骤形成的所述接触孔，以便形成所述接触栓塞。