[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种包括衬底的半导体器件。至少一对深沟槽被安置在衬底中。颈圈衬在各个深沟槽的至少部分壁上。深沟槽填充物将各个深沟槽填充。掩埋条完全跨越各个深沟槽填充物和各个颈圈上的各个深沟槽延伸。隔离区被安置在各个深沟槽之间。介质区覆盖各个深沟槽中的各个掩埋条。

主权项

1.一种半导体器件，它包含：衬底；衬底中的至少一对深沟槽；衬在各个深沟槽的至少部分壁上的颈圈；各个深沟槽中的深沟槽填充物；在各个深沟槽填充物和各个颈圈上完全跨越各个深沟槽延伸的掩埋条；深沟槽之间的隔离区；以及各个深沟槽中的覆盖各个掩埋条的介质区，其中成对的沟槽之间的隔离区自对准于深沟槽。