[发明专利]具有薄膜晶体管的器件无效
| 申请号： | 00104152.5 | 申请日： | 1994-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1360349A | 公开（公告）日： | 2002-07-24 |
| 发明（设计）人： | 宫永昭治;大谷久;寺本聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在非晶硅膜中引入一种或多种选自III、IV或V族的元素,然后在600℃或更低的温度下加热晶化。在平行于基片的方向上,晶体在已引入元素的区域生长。在结晶半导体层的一个部位,按以下方式形成半导体器件的有源区,即根据所期望的有源区迁移率,来选取晶体生长方向与器件电流方向之间的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 薄膜晶体管 器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有至少一个薄膜晶体管的器件，所述薄膜晶体管包括：在一个绝缘表面上的含硅半导体膜；在所述半导体膜中的一对具有一种导电类型的杂质区；和至少一个含金属材料的部分，所述含金属材料直接加到所述半导体膜中，该部分至少形成在所述一对杂质区的一个中，其中所述含金属材料选自以下一组材料：B、Al、Ga、In、Tl、Sc、Y、镧系元素、C、Sn、Pb、Ti、Zr、Hf、N、P、As、Sb、Bi、V、Nb、Zn和Ta。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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