[发明专利]减少存储节点和晶体管之间相互影响的存储单元布局

摘要

根据本发明的存储器单元包括在衬底中形成的沟槽，以及在衬底中栅极下面形成并延伸到沟槽的有源区域。有源区域包括用于形成晶体管以访问沟槽内存储节点的扩散区域，晶体管由栅极激活。栅极定义了第一轴，其中部分有源区域由那里横向延伸，所述部分有源区域延伸到沟槽。沟槽具有最接近所述部分有源区域的侧面，沟槽的侧面相对于栅极有角度地设置，由此栅极和沟槽侧面之间的距离大于最小特征尺寸。

主权项

1.一种存储单元，包括：在衬底中形成的沟槽；在衬底中栅极下面形成并延伸到沟槽的有源区域，有源区域包括用于形成晶体管以访问沟槽内存储节点的扩散区域，晶体管由栅极激活；定义了第一轴的栅极，其中部分有源区域由那里横向延伸，所述部分有源区域延伸到沟槽；以及具有最接近所述部分有源区域的侧面的沟槽，所述沟槽的侧面相对于栅极有角度地设置，由此栅极和沟槽侧面之间的距离大于最小特征尺寸。