[发明专利]反平行被钉扎读出磁头及其制造方法无效
| 申请号： | 00104384.6 | 申请日： | 2000-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1145146C | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 穆斯塔法·皮那巴斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种反平行(AP)被钉扎读出磁头及其制造方法。该磁头具有AP被钉扎结构，该AP被钉扎结构的第一和第二反平行(AP)被钉扎层是钴铁(CoFe)，其提高自旋阀传感器的GMR(巨磁电阻系数dr/R)10％，并具有比第一和第二AP被钉扎层是钴(Co)时的自旋阀传感器更高的磁稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 平行 被钉扎 读出 磁头 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种读出磁头，包括：自旋阀传感器，该自旋阀传感器包括：铁磁的自由层：多层的反平行被钉扎结构；位于自由层和反平行被钉扎结构之间的非磁性导电的间隔层；反铁磁的钉扎层；且该反平行被钉扎结构位于钉扎层和间隔层之间；该反平行被钉扎结构包括：第一和第二铁磁的反平行被钉扎层，其中通过与钉扎层在第一方向上的交换耦合作用而钉扎该第一反平行被钉扎层；反平行耦合层，其位于第一和第二反平行被钉扎层之间，使得第二反平行被钉扎层被第一反平行被钉扎层钉扎在与所述第一方向反平行的第二方向上；以及位于钉扎层和第一反平行被钉扎层之间并使二者界面接合的交换耦合中间层；且第一和第二反平行被钉扎层的每一个都是钴铁；所述交换耦合中间层是镍铁。
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