[发明专利]等离子体源无效
申请号: | 00104533.4 | 申请日: | 2000-02-02 |
公开(公告)号: | CN1269692A | 公开(公告)日: | 2000-10-11 |
发明(设计)人: | 酒井滋树;高桥正人 | 申请(专利权)人: | 日新电机株式会社 |
主分类号: | H05H1/24 | 分类号: | H05H1/24;H05H3/02;H01J27/18;H01J37/08;C23C14/48 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 防止在发射的等离子体中包含高能量的电子。等离子体源2a配有电磁铁40(磁场发生装置),该电磁铁在等离子体室容器内,在与等离子体发射孔8的等离子体发射方向22交叉的方向上产生引起电子回旋共振的磁场B。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体源,在导入微波的等离子体室容器内利用电子的回旋共振生成等离子体,从设置在等离子体室容器的前面部分的等离子体发射孔中发射该等离子体,其特征在于,配有磁场发生装置,该磁场发生装置在所述等离子体室容器内,在与所述等离子体发射孔的等离子体发射方向交叉的方向上产生引起所述电子回旋共振的磁场。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日新电机株式会社,未经日新电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/00104533.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。