[发明专利]高性能动态随机存取存储器及其制作方法

摘要

在硅芯片中制作DRAM的工艺，该芯片在其中央区域包括存储器单元的N-MOSFET，在其外围区域包括支撑电路的C-MOSFET。通过在制作存储器单元的过程中在外围区域上包括掩膜氧化物层，可以制作采用N-掺杂多晶硅硅化物栅极的N-MOSFET和采用P-掺杂多晶硅硅化物栅极的P-MOSFET。源极和漏极包括自对准触点。

主权项

1.一种包括硅芯片的动态随机存取存储器，在硅芯片的中央区域含有均包括一个N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的存储器单元的阵列，在其外围区域含有包括N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的支撑电路，其特征在于所述存储器单元中的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和所述支撑电路中的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管包含不同的栅极，其中所述存储器单元中的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极含有一个N-掺杂多晶硅层、一个多晶硅硅化物膜和一个氮化硅盖层，所述支撑电路中的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极只包含N-掺杂多晶硅层和一个多晶硅硅化物膜，所述支撑电路中的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极只包含P-掺杂多晶硅层和一个多晶硅硅化物膜。