[发明专利]用于封装后DRAM修复的耐熔熔丝电路

摘要

耐熔熔丝电路包括三个子模块具有控制信号和地址输入的多路转移器;由振荡器和电荷泵构成的一个编程电压发生器;以及用于编程/读出耐熔熔丝状态的耐熔熔丝单元电路。针对在特定测试模式下编程的一个耐熔熔丝,由一个具有控制信号和地址输入的程序地址发生电路来启动编程电压发生器,并且提供一个用于选择耐熔熔丝的具体的编程地址。在耐熔熔丝单元电路中,在选定了用于编程的耐熔熔丝元件时,来自编程电压发生器的程序地址和编码电压信号被用来将耐熔熔丝的端子切换到一个编程电压电平。

主权项

1.一种集成电路，具有许多更换地址信号发生器，各自产生一个用于启动一个冗余存储位置的更换地址信号，以便更换有缺陷的存储单元，其特征在于包括：一个程序地址发生电路，它响应测试模式信号和地址信号，产生一个程序地址信号；以及许多耐熔熔丝单元电路，每个耐熔熔丝单元电路连接到上述每一个更换地址信号发生器，并且包括一个耐熔熔丝元件，在其中用程序地址信号来选择耐熔熔丝单元电路，并且用电压信号对选定的耐熔熔丝单元电路中所包含的耐熔熔丝元件编程，以便启动对应的更换地址发生器。