[发明专利]衬底及其制造方法无效
| 申请号： | 00105306.X | 申请日： | 2000-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN1272684A | 公开（公告）日： | 2000-11-08 |
| 发明（设计）人： | 坂口清文;近江和明;柳田一隆 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/08 | 分类号： | H01L21/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 将具有多孔层的第一衬底键合到第二衬底上制备键合衬底叠层,在多孔层处将键合衬底叠层分成两个衬底,防止了分离步骤中存在的缺陷。该第一衬底内部具有多孔层(12),在多孔层上具有单晶硅层,在单晶硅层上具有SiO2层。将该衬底的外边缘部分氧化使单晶硅层的外边缘朝着内部进行再处理,其中单晶硅层(13a)的外边缘位于键合区域的外边缘之内。在多孔层(12)处将键合衬底叠层分成两个衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造键合衬底叠层的方法，其特征在于包括：第一步(图3A～3D)：制备第一衬底(10)，该衬底具有内部的多孔层(12)，所说多孔层上的第一层(13)和所说第一层上的第二层(14)；第二步(图3E)：将所说第一衬底(10)的主表面键合到第二衬底(20)上来制备键合衬底叠层；和第三步(图3F)：化学处理所说键合衬底叠层使所说第一层(13)的至少部分外边缘朝着所说键合衬底叠层的内部进行再处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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