[发明专利]一种平面微腔增强型探测器及其使用方法无效
| 申请号： | 00105876.2 | 申请日： | 2000-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1114958C | 公开（公告）日： | 2003-07-16 |
| 发明（设计）人： | 郑厚植;杨富华;赵建华;曾一平;陈京好;谭平恒 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;G01J1/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种平面微腔增强型探测器，包括位于同一直线上大口径聚焦透镜，小口径准直透镜和微腔，所述微腔是由量子点或吸收体作为有源层的微腔，且微腔固定在旋转轴上；其使用方法是：旋转轴以微调微腔表面法向n与入射光的夹角，从而探测到不同波长的入射光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 增强 探测器 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
1、一种平面微腔增强型探测器，包括：位于同一直线上大口径聚焦透镜，小口径准直透镜和微腔，其特征在于：所述微腔是由量子点或吸收体作为有源层的微腔，且微腔固定在旋转轴上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
