[发明专利]非易失性半导体存储器

摘要

一种非易失性半导体存储器，能够缩短在读出电路中确定读电压需要的时间和提高数据读出速度。具有反馈型偏置电路，用于响应在存储单元的地址出现的第一定时信号，根据地址选择让电流从负载电路经位线译码器到将与位线和字线连接的存储单元，使预定偏置电流将提供到位线和用于让电流根据存储单元的接通状态或断开状态流动，在与负载电路连接点产生读电压和预充电电路，用于响应定时信号的不同阶段控制通过位线的电流。

主权项

1.一种非易失性半导体存储器，包括：一个偏压供给电路，其响应在一个存储单元的一地址被选择时产生的第一个定时信号，根据选择的该地址，由位线选择电路通过让一个电流从负载电路流到将被连接到一位线的所述存储单元，用于对所述位线提供一个预定偏压，而且通过按照所述储单元的接通状态或断开状态让电流流动，用于产生在与所述负载电路连接的一个点上的读出电压，一个预充电电路，其响应在第二定时信号有效时的早期的阶段产生的第二定时信号，用于让一电流流到所述位线；其特征在于：所述预充电电路配置成，在当第二定时信号有效时的最后阶段，所述预充电电路工作以中断电流。