[发明专利]电熔化熔断器及其阵列和排列无效

专利信息
申请号: 00106422.3 申请日: 2000-04-06
公开(公告)号: CN1167128C 公开(公告)日: 2004-09-15
发明(设计)人: 钱德拉赛卡·纳雷扬;加布里尔·丹尼尔 申请(专利权)人: 国际商业机器公司;英芬能技术北美公司
主分类号: H01L23/525 分类号: H01L23/525
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 通过从结构的最上层远距离提供电压到熔断器上来编程埋入多层结构内的电熔断器。用导电座来堆叠组成熔断器的熔断器座从而在熔断器和最上层之间提供电气路径。导电座的尺寸与熔断器座相同。极大地降低了用于编程埋入多层结构内的电熔断器所需的电压。此外,可用导电条来替代导电座,每个导电条与每个熔断器的两个座之一短接。使得熔化所选择的熔断器之一所需的电压降低到一个更低值。
搜索关键词: 熔化 熔断器 及其 阵列 排列
【主权项】:
1.一种多层结构中的可编程熔断器的阵列,每个所述的可编程熔断器具有一个熔断片,该熔断片的每一端部端接于一个熔断器座,所述阵列的特征在于:导电条分别短接每个所述可编程熔断器的所述熔断器座之一。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司;英芬能技术北美公司,未经国际商业机器公司;英芬能技术北美公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/00106422.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top