[发明专利]有源矩阵基板、电光学装置及有源矩阵基板制造方法有效
| 申请号： | 00106520.3 | 申请日： | 2000-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1133889C | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | 竹中敏 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/133 | 分类号： | G02F1/133;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 姜郛厚,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供能容易且准确地检查MIS晶体管的膜质的有源矩阵基板、使用它的电光学装置以及有源矩阵基板的制造方法。在有源矩阵基板上的未形成图象显示区、扫描线驱动电路、数据线驱动电路、信号布线等的部分上形成1mm矩形的膜质检查区80。在该膜质检查区80，形成与TFT50的高浓度源·漏区同层而且用相同浓度导入了相同杂质的膜质检查用半导体膜1c(硅膜)，由于该膜质检查用半导体膜1c从层间绝缘膜4、71、72的开口部8c露出，所以能立即进行膜质分析。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 光学 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有源矩阵基板，在基板上形成晶体管和信号布线，其特征在于，在所述基板上的未形成所述晶体管和所述信号布线的区域中的至少一个地方具有配备所述晶体管中所用的半导体膜和同层的膜质检查用半导体膜的膜质检查区，并且，所述膜质检查用半导体膜通过设于形成在该膜质检查用半导体膜的上层的绝缘膜的开口部露出。
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