[发明专利]半导体发光器件及其制造方法和制造透明导体膜的方法无效
| 申请号： | 00106758.3 | 申请日： | 2000-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1148811C | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 中村孝夫;松原秀树 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一发光层提供在一基底上，一p-型半导体层(24)提供在发光层上。一上电极提供在p型半导体层(24)上。一上电极包括一与p型半导体层接触的Au薄膜(10a)和一形成于其上的n型透明导体层(10b)。n型透明导体膜(10b)是通过激光烧蚀来形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 透明 导体 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，包括：一基底，其背面带有一n-型下电极；一发光层(4)，提供在上述基底上；一p-型半导体层(24)，提供在上述发光层上；和一上电极(10a，10b)，提供在上述p-型半导体层上，其中，上述上电极至少具有与所述p-型半导体层(24)接触的下层(10a)和设置在所述下层(10a)上的上层(10b)，且所述上层(10b)具有不超过5.7×10-5Ωcm的电阻率。
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