[发明专利]电子束曝光方法无效
| 申请号： | 00107637.X | 申请日： | 2000-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1274870A | 公开（公告）日： | 2000-11-29 |
| 发明（设计）人： | 小日向秀夫 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,方挺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明用于制造半导体器件的电子束曝光方法包括以下步骤选出需要修正的绘制图形;选出包括所选绘制图形的多个曝光轰击区;修正中心部分,以确定适于绘制图形的中心部分的电子束曝光量;修正端部以形成辅助曝光图形,该辅助曝光图形用于修正绘制图形端部图形尺寸的偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 曝光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的电子束曝光方法，包括以下步骤：选出需要修正的绘制图形；选出包括所选绘制图形的多个曝光轰击区；修正中心部分，以确定适于所述绘制图形的中心部分的电子束曝光量；修正端部，以形成辅助曝光图形，该辅助曝光图形用于修正所述绘制图形端部的图形尺寸偏差。
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