[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 00107751.1 | 申请日： | 2000-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1154171C | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 星野晶 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一绝缘层12被形成在半导体基片11上并且具有凹槽12a用于在预定区形成配线层15。在凹槽12a内壁上形成阻挡层金属并防止构成配线层15的原子扩散进入绝缘层12。在形成在凹槽12a的底部的阻挡层金属13上形成晶种层14并作为形成配线层15时结晶生长的晶核。晶种层以结晶方向(111)为主。形成配线层以掩埋凹槽12a。此外，配线层以结晶方向(111)为主，其抑制电迁移。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造方法，其中包括步骤：在基片上形成用于在配线层之间绝缘的绝缘层；在所述绝缘层的一预定区域中形成一凹槽用于形成配线层；在所述凹槽的内壁上形成阻挡层，用于防止构成所述配线层的原子扩散进入所述绝缘层；在所述阻挡层上形成一晶种层，当以能够获得(111)方向的方式形成所述配线层时，其作为用于结晶生长的晶核；以及在所述晶种层上形成具有(111)方向的所述配线层以致掩埋所述凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
