[发明专利]适于使用液态导电材料的半导体晶片及其制造方法无效
| 申请号： | 00108074.1 | 申请日： | 2000-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1134050C | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | 沈明东 | 申请（专利权）人： | 群翼科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李树明 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种适于使用液态导电材料的半导体晶片及其制造方法，该半导体晶片具有至少两由一绝缘层分隔的上部和下部金属层及在下部金属层周围的接地金属层，在该半导体晶片的表面凹设有数个焊垫形成区，每一焊垫形成区由一底壁和周壁形成，于该晶片的表面及焊垫形成区内布设绝缘材料，将位于该焊垫形成区中央的绝缘材料移去，使余下的绝缘材料在所述各上部和下部金属层之间形成隔离层，使液态导电材料灌注入该焊垫形成区时在所述金属层之间不出现短路现象。 | ||
| 搜索关键词： | 适于 使用 液态 导电 材料 半导体 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种适于使用液态导电材料的半导体晶片的制造方法，该半导体晶片具有至少两由一绝缘层分隔的上部和下部金属层及在下部金属层周围的接地金属层，在该半导体晶片的表面凹设有数个焊垫形成区，每一焊垫形成区由一底壁和周壁形成，使下部的金属层和接地金属层铺设于焊垫形成区的底壁上，而上部的金属层凸露于焊垫形成区的周壁上，在铺设于焊垫形成区底壁上的金属层上是以铝为材料形成一焊垫，其特征在于：该方法包含如下步骤：于该晶片的表面及焊垫形成区内布设绝缘材料；及将位于该焊垫形成区中央的绝缘材料移去，以致于余下的绝缘材料在所述的各上部和下部金属层之间形成隔离层，使当液态导电材料灌注入该焊垫形成区时，在所述的各上部和下部金属层之间不会出现短路现象。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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