[发明专利]在半导体器件制造中减小非均匀区影响的方法和设备无效
| 申请号： | 00108237.X | 申请日： | 2000-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1280384A | 公开（公告）日： | 2001-01-17 |
| 发明（设计）人： | S·舒尔泽;F·扎克 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永,王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在制造集成电路的各个工序中能影响邻近晶片周边的芯片质量的非均匀边缘效应可被减小。这是用只在邻近晶片周边区域印制芯片的图形时增大分步重复曝光机的曝光面积来实现的。因此在有用的图形区外也印制附加的无用图形区以减小非均匀效应。这样就增加了印制设备的产量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 减小 均匀 影响 方法 设备 | ||
【主权项】：
1．在圆形的半导体晶片上分步重复印制图形的方法，包括对控制每个要印制图形的曝光面积的模版进行调整，在邻近晶片周边区域印制图形时在正常的图形曝光区添加附加的无用曝光区，借以在以后的工序中改善非均匀区效应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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