[发明专利]用电弧离子镀沉积氮化钛铌硬质薄膜的方法无效
申请号: | 00108514.X | 申请日: | 2000-04-28 |
公开(公告)号: | CN1129679C | 公开(公告)日: | 2003-12-03 |
发明(设计)人: | 林国强 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 | 代理人: | 侯明远 |
地址: | 116023 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 用电弧离子镀沉积氮化钛铌硬质薄膜的方法属于金属材料表面改性技术领域。该方法通过控制电弧离子镀纯钛、纯铌阴极靶在镀膜过程中的弧电流来控制薄膜的成分,在工模具钢基体上沉积合成硬度高于常用的氮化钛的氮化钛铌硬质薄膜,操作简便、控制容易。 | ||
搜索关键词: | 用电 离子镀 沉积 氮化 硬质 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
1、用电弧离子镀沉积氮化钛铌硬质薄膜的方法,先将工件清洗干燥后放入设备真空室中,经过抽真空、通氩气、启弧、加负偏压、溅射清洗、通氮气、镀膜、停弧、断电、炉冷阶段后取出工件,其特征在于:在镀膜阶段,选择纯钛和纯铌作阴极靶材,纯钛和纯铌相间隔分别置于电弧离子镀的弧源位置上,镀膜时两种阴极靶材的弧电流配置ITi为60~95A,INb为85~105A。
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