[发明专利]铁电电容器、铁电/CMOS集成结构及其制造方法无效
| 申请号： | 00108782.7 | 申请日： | 2000-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1148805C | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 查尔斯·托马斯·布莱克;西里尔·卡布拉·JR.;阿尔弗雷德·格利尔;德博拉·安·纽梅尔;威尔伯·大卫·普莱瑟;卡舍莱恩·莱恩·萨恩格尔;托马斯·姆卡罗尔·邵 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种铁电电容器、铁电/CMOS集成结构及其制造方法。该铁电电容器包括：铁电层；与铁电层的两个相反面接触的导电电极层和导电反电极层，这些电极层在沉积或退火时不分解；以及至少与导电反电极层接触的氧源层，该氧源层是在沉积和/或随后处理中至少部分分解的金属氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 cmos 集成 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电电容器，包括：导电电极层、位于所述导电电极层上的铁电层、在所述铁电层上形成的导电反电极层，以及与上述导电反电极层邻近的至少部分分解的氧源层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
