[发明专利]提供双功函数掺杂的方法及保护绝缘帽盖

摘要

一种提供双功函数掺杂和无边界阵列扩散接触的方法，该方法包括：提供半导体衬底、栅绝缘体、栅绝缘体上的导体、导体上的绝缘帽盖、及一部分所说导体和所说绝缘帽盖的侧壁上的绝缘间隔层。该方法还包括用第一导电类型的掺杂剂，掺杂部分所说半导体衬底和所说导体，用第二导电类型的掺杂剂掺杂其余部分。可以退火所说导体，使所说第一和第二导电类型的掺杂剂分布于所说各导体中。

主权项

1、一种形成双功函数掺杂的方法，该方法包括：提供半导体衬底、所说半导体衬底上的栅绝缘层、栅绝缘层上的未掺杂多晶硅层、所说未掺杂多晶硅层上的导电硅化物层及绝缘帽盖；腐蚀部分所说硅化物层和部分所说绝缘帽盖以形成局部栅导体叠层；在所说绝缘帽盖和所说硅化物层的侧壁上提供包括间隔材料的绝缘间隔层；腐蚀所说未掺杂多晶硅层的未被间隔材料覆盖的部分；去掉间隔材料，使所说未掺杂多晶硅层包括用于形成不同导电类型栅导体的第一和第二暴露部分；用第一导电类型的掺杂剂，掺杂所说多晶硅层的第一暴露部分；用第二导电类型的掺杂剂，掺杂所说多晶硅层的第二暴露部分；退火多晶硅层，使所说多晶硅层的其余部分被所说第一和第二导电类型的掺杂剂掺杂。