[发明专利]具有冗余功能的半导体存储装置

摘要

提供一种可能降低备用存储单元的不合格几率，并确实能挽救的半导体存储装置。本发明的半导体存储装置包括：正常字线1#1～1#4、备用字线2#1～2#2和位线3#1～3#4。相对正常字线间隔，要把备用字线间隔加宽。并且，正常字线和备用字线之间的间隔也加宽。因此在制造阶段由异物引起的接触不良发生的几率降低。进而，把备用存储单元的存储点6#1～6#4的大小增大到比正常存储单元的存储点4#1～4#8要大。因此，可以增大备用存储单元的电容。

主权项

1、一种半导体存储装置，具备有：行列状配置的多个正常存储单元(4#1～4#8)；与所述多个正常存储单元(4#1～4#8)的行对应设置的多条正常字线(1#1～1#4)；行列状配置，用于置换所述多个正常存储单元(4#1～4#8)中不合格的正常存储单元的多个备用存储单元(6#1～6#4，9#1～9#4)；与所述多个备用存储单元(6#1～6#4，9#1～9#4)的行对应设置的多条备用字线(2#1～2#2)；其特征在于：所述多条备用字线(2#1～2#2)将分别配置成，使得所述多条备用字线间的最小间隔SSW加宽到比所述多条正常字线间的最小间隔NNW要宽。