[发明专利]场发射器及其制造方法和使用其的场发射显示设备无效
| 申请号： | 00109213.8 | 申请日： | 2000-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1278104A | 公开（公告）日： | 2000-12-27 |
| 发明（设计）人： | 张震;郑皙在;林星勋;柳在银 | 申请（专利权）人： | 张震;日进纳米技术株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J29/04;H01J9/02;H01J31/12;H01L21/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供使用碳纳米管薄膜的即使在低电压下也具有高电流密度的场发射器及制造方法和具有该场发射器的场发射显示设备。场发射器包括绝缘基片,在其上形成的薄膜晶体管,该晶体管有半导体层、源极、漏极和栅极,和由漏极上的碳纳米管薄膜形成的电子发射单元。晶体管可以为共面型、交错型或逆交错型。与碳纳米管薄膜接触的漏极部分的表面上含有催化金属,它是过渡金属如镍或钴。或者漏极本身可由用于生长碳纳米管的催化金属形成。 | ||
| 搜索关键词： | 发射器 及其 制造 方法 使用 发射 显示 设备 | ||
【主权项】：
1、一种具有碳纳米管薄膜的场发射器，包括：一绝缘基片；在该绝缘基片上形成的一薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有一半导体层、一源极、一漏极和一栅极；和位于薄膜晶体管的漏极上的由碳纳米管薄膜构成的一电子发射单元。
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