[发明专利]低温热化学汽相淀积设备及利用该设备合成碳纳米管的方法无效
申请号: | 00109269.3 | 申请日: | 2000-06-15 |
公开(公告)号: | CN1278021A | 公开(公告)日: | 2000-12-27 |
发明(设计)人: | 李铁真;柳在银 | 申请(专利权)人: | 李铁真;株式会社日进纳米技术 |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32;C01B31/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 甘玲 |
地址: | 韩国全*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种低温热CVD设备和利用设备合成碳纳米管的方法,是将该设备中的反应管分成在空间上邻接气体输入部分、用于热分解输入气体的第一区,和空间上邻接排气部分、用于利用前述的分解气体合成碳纳米管第二区,并且,保持两区的温度,使第二区的温度低于第一区的温度。将具有第一金属催化膜的第一基片用腐蚀气腐蚀,形成纳米级催化颗粒,利用上述设备热分解碳源气,在其温度低于第一区的第二区中,从催化颗粒上合成碳纳米管。 | ||
搜索关键词: | 低温 热化学 汽相淀积 设备 利用 合成 纳米 方法 | ||
【主权项】:
1.一种热化学汽相淀积(CVD)设备,包括:具有气体输入部分和排气部分的反应管,该反应管被分成第一区和第二区,第一区在空间上邻接气体输入部分,用于热分解经气体输入部分进入的气体,第二区空间上邻接排气部分,用于利用在第一区中分解的气体合成碳纳米管;围绕反应管安装的第一电阻加热器,用于保持第一区的温度为第一温度;围绕反应管安装的第二电阻加热器,用于保持第二区的温度为低于第一温度的第二温度;设于第一和第二电阻加热器间用于隔开它们的隔离件。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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