[发明专利]电子束曝光掩模和用该掩模制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 00109322.3 | 申请日： | 2000-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1144265C | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 宫坂满美 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;方挺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于电子束曝光的掩模，用在由EB投影光刻系统中。该掩模包括：栅框区域；多个薄膜区域，被栅框区域围绕并具有比栅框区域薄的厚度；多个掩模图形区域，每个掩模图形区域形成在所述薄膜区域的相应一个内。每个掩模图形区域具有对应于子域图形的掩模图形。通过对每个所述掩模图形区域将电子束照射到所述掩模上，使被电子束照射的区域的中心与各所述掩模图形区域的中心重合，按预定的芯片图形曝光晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 曝光 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于电子束曝光的掩模，该掩模用在通过电子束投影光刻系统用预定的芯片图形对晶片曝光的工艺中，所述掩模包括：栅框区域；多个薄膜区域，被所述栅框区域围绕并具有比所述栅框区域薄的厚度；和多个掩模图形区域，每个掩模图形区域形成在所述薄膜区域的相应一个内，每个所述掩模图形区域具有对应子域的图形的掩模图形，子域是通过将所述芯片图形分割成形状和尺寸相同的多个区域得到的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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