[发明专利]一种薄膜集成天线及其制作方法无效

专利信息
申请号: 00109333.9 申请日: 2000-05-29
公开(公告)号: CN1142615C 公开(公告)日: 2004-03-17
发明(设计)人: 邱宏;张翼;任玉荣 申请(专利权)人: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H05K3/10
代理公司: 北京科大华谊专利代理事务所 代理人: 刘月娥
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种薄膜集成天线及其采用了镀膜技术和半导体集成电路技术制作该薄膜集成天线的方法。薄膜集成天线由基板(1,2)及在在基板上生成由金属薄膜(3)和铁电体薄膜(5)相互交替而构成的3-50层复合薄膜组成,制作方法由选择基板、在基板上镀金属薄膜、在基板上生成金属薄膜/铁电体薄膜双层膜及多层膜,成型工艺组成。本发明的优点在于金属薄膜集成天线可取代块状金属天线,减少了天线制作工艺过程中的材料耗损,提高了材料的使用效率。
搜索关键词: 一种 薄膜 集成 天线 及其 制作方法
【主权项】:
1、一种薄膜集成天线,其特征在于:由基板及在基板上生成的 单层金属薄膜或金属薄膜和铁电体薄膜构成的双层膜,或金属薄膜 和铁电体薄膜相互交替而构成的3--50层复合膜组成,每层金属 薄膜的厚度为0.1μm--20μm,铁电体薄膜的厚度为0.1μm-- 20μm,金属薄膜具有垂直于基板表面的柱状结晶晶粒,结晶晶粒在 平行于基板表面方向上的宽度为10nm--10000nm,铁电体薄膜具 有垂直于基板表面的柱状结晶晶粒,结晶晶粒在平行于基板表面方 向上的宽度,是50nm--10000nm。
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