[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 00109356.8 | 申请日： | 2000-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1326229A | 公开（公告）日： | 2001-12-12 |
| 发明（设计）人： | 潘钟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/812;H01L21/335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高电子迁移率晶体管,包括GaAS衬底、和在其上依次生长的缓冲层、用GaInNAs材料形成的电子沟道层、空间层、势垒层和帽盖层,以及形成在帽盖层上的源和漏电极,和形成在势垒层上的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种高电子迁移率晶体管，包括GaAs衬底，和在其上依次生长的缓冲层、电子沟道层、空间层、势垒层和帽盖层，以及形成在帽盖层上的源和漏电极，和形成在势垒层上的栅极，特征在于用GaInNAs材料形成电子沟道层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/00109356.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
