[发明专利]利用掺杂技术减薄高亮度发光二极管芯片窗口层的方法

摘要

本发明属于光电子技术领域。本发明的主要内容是利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)在GaAs衬底上生长高亮度发光二极管为异质结芯片结构，上限制层生长结束时，继续生长磷化镓GaP窗口层，通过切断和连接镓源及磷源，选用P型掺杂剂在磷化镓窗口层进行δ掺杂，最终达到厚度≤2μm的窗口层，它解决了现有技术存在的生长工艺复杂、生长成本高的缺点，采用本发明，可使发光二极管芯片生长工艺简化，降低生产成本，提高生产效率。

主权项

1.一种利用掺杂技术减薄高亮度发光二极管芯片窗口层的方法，芯片的布拉格反射层、下限制层、有源层、上限制层均按已有工艺由计算机控制生长，其特征是在结束芯片上限制层生长时，立即按以下步骤进行窗口层的生长：(1)在生长温度为780~800℃时，调整反应源三甲基镓流量为20~30ml/min，磷化氢流量为20~80ml/min，二茂镁流量为90~100ml/min，将反应源三甲基镓和磷化氢以及掺杂源二茂镁由放空线转入生长线，生长P型磷化镓，时间为36分钟，之后将反应源三甲基镓和磷化氢由生长线转入放空线，进行5~15秒δ掺杂层的生长，然后(2)将反应源三甲基镓和磷化氢由放空线转入生长线，继续生长4分钟P型磷化镓，之后，再将反应源三甲基镓和磷化氢由生长线转入放空线，再进行5~15秒δ掺杂层的生长，而后(3)将反应源三甲基镓和磷化氢由放空线转入生长线。生长6分钟P型磷化镓，之后将反应源三甲基镓以及掺杂源二茂镁由生长线转入放空线。同时将生长温度降至20℃，磷化氢流量降至10ml/min，反应源三甲基镓流量降至2ml/min，Cp2Mg流量降至10ml/min。待反应室外延片温度降至300℃以下时，将磷化氢由生长线转入放空线，至此，可以得到厚度≤2μm高密度发光二极管芯片窗口层。