[发明专利]一种烧结法粗液脱硅方法无效
| 申请号： | 00113390.X | 申请日： | 2000-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1147430C | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 李小斌;宋培凯;彭志宏;李旺兴;刘桂华;江新民;朱显德;吕子剑;张剑辉;常虎成 | 申请（专利权）人： | 中南工业大学;中国长城铝业公司 |
| 主分类号： | C01F7/04 | 分类号： | C01F7/04 |
| 代理公司： | 中南大学专利中心 | 代理人： | 龚灿凡 |
| 地址： | 4100*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种烧结法粗液脱硅方法，包括粗液的一段常压脱硅、一次分离、二段常压脱硅、二次分离。利用本发明对Al2O3浓度为110～240g/L的硅液进行常压脱硅，脱硅后一次脱硅液的硅量指数在300左右，一段常压脱硅过程中浆液的稳定性好，沉降性能好，底流压缩液固比较小；采用含钙添加剂对Al2O3浓度为90～240g/L的铝酸钠溶液，在90～120℃进行深度脱硅可以获得硅量指数为800以上的二次脱硅液，生成的钙硅渣具有良好的沉降分离性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 烧结 法粗液脱硅 方法 | ||
【主权项】：
1.一种烧结法粗液脱硅方法，其特征在于：包括粗液的一段常压脱硅、一次分离、二段常压脱硅、二次分离，各工艺过程的工艺参数分别是：a>一段常压脱硅：以钙硅渣作晶种，对晶种进行表面处理，晶种添加量30～90g/L，脱硅温度95～105℃，脱硅时间2～4小时；b>二段常压脱硅：对于Al2O3浓度为90g/L～240g/L的一段脱硅液采用HCAC或石灰乳作反应剂进行深度脱硅，脱硅温度为90～120℃，脱硅时间2小时。
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