[发明专利]高硅丝光沸石的合成方法有效
| 申请号： | 00116530.5 | 申请日： | 2000-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1116229C | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 沈绍典;杨为民;孙洪敏 | 申请（专利权）人： | 中国石油化工集团公司;中国石油化工集团公司上海石油化工研究院 |
| 主分类号： | C01B39/26 | 分类号： | C01B39/26;B01J29/18 |
| 代理公司： | 上海浦东良风专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈志良 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及高硅丝光沸石的合成方法，主要解决以往技术中存在高硅丝光沸石合成时间长的问题。本发明在高硅丝光沸石分子筛合成过程中通过采用选自六亚甲基亚胺、1，4-二氮环庚烷、七亚甲基亚胺、环庚烷胺、环己烷胺或环戊烷胺作为模板剂的技术方案，较好地解决了该问题，可用于工业生产中。 | ||
| 搜索关键词： | 丝光 合成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高硅丝光沸石的合成方法，首先将硅源、铝源、碱、模板剂和水按摩尔比计：SiO2/Al2O3为10～200，OH-/SiO2为0.01～1.0，R/SiO2为0.05～1.0，M/SiO2为0.01～1.0，H2O/SiO2为10～200的比例混合，其中R为模板剂，选自六亚甲基亚胺、1，4-二氮环庚烷、七亚甲基亚胺、环庚烷胺、环己烷胺或环戊烷胺；M选自碱金属元素，将该混合物在晶化温度为120～180℃条件下，晶化时间为10～120小时后取出，经水洗、干燥制得高硅丝光沸石。
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